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当今全球LED绝对龙头加码化合物半导体，国内III-V族龙头加速崛起。三安光电作为全球LED龙头，依托LED外延、芯片外延工艺积淀加速布局化合物半导体产线。年5月三安光电投资30亿元成立三安集成，主要从事化合物半导体集成电路业务，已布局完成6寸的砷化镓和氮化镓部分产线。公司目前在全球拥有五大化合物半导体研发中心，拥有数千件从芯片外延制造到全产业的主流专利积累。年公司投资30亿进行通讯微电子器件项目建设，项目建成后将形成通讯用外延片36万片/年、通讯用芯片36万片/年的产能。年12月公司投资亿元在福建泉州投资注册成立项目公司，预计全部项目五年内实现投产，七年内全部项目实现达产，产业化项目主要为高端氮化镓及其LED芯片、大功率氮化镓激光器、射频、滤波器的研发与制造等。

化合物半导体性能卓越，高温高频大功率前景光明。相较于硅、锗等第一代半导体材料，以砷化镓、磷化铟为代表的第二代半导体材料、以碳化硅及氮化镓为代表的第三代半导体材料拥有更大的禁带宽度和电子迁移率，因此具有在高温高频大功率下工作的优良特性。目前化合物半导体以砷化镓市场份额最高，年全球总产值高达88.3亿美元，被广泛应用于无线通信及射频领域。氮化镓凭借优异的高频特性，在通信基站、卫星通信、国防领域应用广泛，年射频氮化镓市场规模接近3.8亿美元。碳化硅高压大功率特性优越，在功率器件市场渗透率日渐提升，预计到年市场规模将超4亿美元。

PA射频、功率器件、3Dsensing下游需求崛起，带动化合物半导体景气上行。手机射频应用是砷化镓元件最大市场，随着砷化镓在PA应用渗透率的提升以及5G时代手机PA个数的大幅增长，预计年化合物半导体市场有望增加到亿美元。新能源汽车市场的高速增长叠加碳化硅价格的下降给碳化硅在功率半导体市场的增长提供了条件，预计年全球碳化硅功率半导体市场将快速成长到13.99亿美元，-年的市场规模年均复合增长率为29%。iPhoneX引领3DSensing热潮，加速化合物半导体往消费电子领域的渗透。

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依托LED芯片外延工艺积淀加速布局化合物半导体

1.1全球LED龙头，产业覆盖全面

三安光电是具有国际影响力的全色系超高亮度发光二极管外延及芯片生产厂商，总部坐落于厦门，产业化基地分布在厦门、天津、芜湖、泉州等多个地区。三安光电主要从事全色系超高亮度LED外延片、芯片、化合物太阳能电池及Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体等的研发、生产与销售，产品性能指标居国际先进水平。三安光电目前拥有级到级的现代化洁净厂房，上万台国际最先进的外延生长和芯片制造等设备。公司凭借强大的企业实力，实现了年产外延片万片、芯片亿粒的生产规模，占到国内总产能的58%以上。年，公司进一步扩大和延伸LED产业链建设，在厦门投资新建的LED产业基地和通讯微电子器件项目，使公司的生产规模直接迈入国际顶尖行列，并成为国际上具备规模化生产、研发化合物半导体芯片能力的企业。三安光电拥有全球最大的LED芯片产能，从市场结构来看，约占全球芯片产能的12%，占中国市场份额的29%，在中国市场上基本具有价格领导者的定价权，毛利高出同行15%-25%。除此之外，电力电子、微波集成电路和光通讯也是三安光电核心产业。

1.2营业收入高速增长，毛利水平稳步提升

三安光电主营业务是芯片、LED产品，年营收占比近85%。从年以来，公司的营收及归母净利润保持稳步增长趋势，营业收入从年的8.6亿元增加至年的83.9亿元，年均复合增长率达38.5%；归母净利润从年的4.2亿元增加至年的31.6亿元，年均复合增长率达33.4%。从行业背景上看，年10月，发改委联合六部门发布了《半导体照明节能产业发展意见》，提出到年，我国的LED产业产值要达到年均复合增长率30%的水平。年LED行业再度爆发，产能供不应求，三安光电在此期间大力扩产，抢占市场份额。从年开始，全球LED集中扩产叠加行业竞争者数目增加导致LED供过于求，LED价格开始下跌，行业开始重新洗牌，规模较小的LED被清理出局。在此期间，三安光电的营业收入和归母净利润增幅较小。到年，行业再次洗牌，三安光电剥离了非LED业务，全力加码外延片产能。到下半年LED产能逐渐出清，行业重新整合，公司作为LED龙头，重新走上业绩高速增长车道。从毛利率和净利率水平上看，公司一直保持极强的盈利能力，由于国家补贴强度较高，公司在和年净利率超过毛利率，-行业竞争加剧，公司的毛利率和净利率水平下降到最低点25%附近，行业洗牌后三安光电作为龙头，盈利能力不断增强，年第一季度毛利率达到51%的历史新高，净利率也高达50%。三安光电研发实力雄厚，研发投入保持行业领先水平。公司年研发费用4.4亿，占营收比例7%，年研发费用5.3亿，占营收比例6.3%。公司目前已经拥有多项专利。企业研发人员占比达到员工总人数的15.2%，近年来，公司还聘用了年诺贝尔物理奖获得者天野浩教授作为技术中心的特聘专家，为企业研发及产业化进程中的技术疑问、技术思路、技术创新体系建设等各方面进行指导。年公司的“氮化镓基紫外与深紫外LED关键技术”获国家科技进步奖二等奖，年“用于TFT-LCD背光源的超高亮度LED芯片产业化”获国家工信部信息产业重大技术发明奖。

1.3公司愿景：成为世界级化合物半导体研发、制造与服务公司

年5月26日厦门市三安集成电路有限公司注册成立，该项目总规划用地亩，总投资额30亿元，为福建省-重大工业项目、厦门市年重点项目，属于国家扶持的战略性新兴产业。三安集成主要从事化合物半导体集成电路业务，涵盖PA射频、电力电子、光通讯和滤波器等领域的芯片，已布局完成6寸的砷化镓和氮化镓部分产线，产品应用包括2G、3G、4G手机应用的功率放大器、无线网用的功率放大器、基站应用、低噪声放大器、及其它无线通讯应用单元等。三安集成于年10月开始进行试产，量产后将成为中国具备规模化研发、生产化合物半导体芯片能力的公司。年6月，厦门市三安集成电路有限公司通讯微电子器件（一期）项目获批，同年8月，通讯微电子器件项目基建工程开工。年初，通讯微电子器件项目被确定为厦门市年重点在建项目，同年6月15日，国家集成电路产业投资基金将投资48.4亿购买三安集团转让上市公司9.1%股份，成为三安第二大股东。同时，三安集团、三安光电与华芯投资和国开行签订《关于投资发展集成电路产业之战略合作协议》，签订单位建立战略合作关系。同年7月，三安集成电路第一台主设备——芯片激光切割机顺利搬迁进入芯片无尘车间。三安集成电路第一套多项目晶圆光罩送交制造。年4月，三安集成与是德科技达成战略合作伙伴协议，共同进行pHEMT和HBT工艺流程的PDK开发，同年三安集成通过ISO和QC认证。年，三安集成HBT工艺通过客户产品认证，年通过ISO信息安全管理体系认证。三安光电在Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料方面主要集中于第二代半导体砷化镓和第三代半导体氮化镓，其研究的砷化镓高速半导体芯片主要应用于微电子，包括无线通信，光纤通信，汽车等领域；而氮化镓的高功率半导体芯片定位在高端产业，如电源管理（电源管理模块，用于电子产品，例如笔记本，平板电脑，电话），电动汽车，太阳电池，和电信基站。三安集成为迅速提高公司技术水平，拓展销售渠道，提升产品市场占有率，在全世界成立了五大研发中心，分别为美国洛杉矶和波士顿的光通领域研发中心以及大功率照明研发中心，北欧的碳化硅衬底制造和研发中心，日本东京的射频前端滤波器制造和研发中心，最大的研发中心位于厦门。目前，三安集成产品已获得部分客户认证通过，进入小量产阶段，产量已在逐月累加。并且公司已开始拓展国外客户，正积极沟通，争取早日获得国外客户认证通过，尽早进入供应链。三安集成主要从事化合物半导体集成电路项目的研发、生产、销售，已有多家客户参与试样验证，已有多家客户参与试样验证，参与的客户设计案个,有19个芯片已通过性能验证，有部分客户已开始出货,后续设备也将会逐步采购并投入生产。公司拥有Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体技术顶尖人才组成的技术研发团队，掌握的产品核心技术达到国际同类产品的技术水平，研发能力已达到国际先进水平。承担并顺利完成了国家“十五”、“十一五”科技攻关项目、国家“”计划项目、国家“”计划项目、国家科技部火炬计划、信息产业部重点招标项目和国家发改委产业升级专项等。公司科研项目先后通过国家科技部组织的技术成果鉴定，并且公司充分发挥技术优势，加强钻研，积极开拓半导体芯片的应用领域，从事的半导体集成电路6英寸外延、芯片业务填补了国内空白，参与项目竞标获批国家科技重大专项、重点研发计划等国家项目。截止目前，公司在化合物半导体领域拥有数千件从芯片外延制造到全产业的主流专利积累，知识产权保护体系得到了持续有效建设，为公司销售渠道提供了坚实的保障。三安主流量产的工艺为HBT和PM的工艺，主要应用于终端小功率的器件应用，未来公司会持续往前演进，继续开发0.1微米的产品。另外，主要应用于大功率的基站部分的0.45微米的氮化镓以及0.25微米的氮化镓基础工艺目前已经接近量产。这个领域是目前整个业界相对的短板，从材料制造到芯片工艺制成，三安与国外竞争厂商的差距不断缩小，很快会拥有自主可控的制造能力，预计在年第三季度完成基于磷化铟的射频功放的应用。年，三安光电非公开发行不超过1.57亿股，募集资金总额不超过35.1亿元，非公开发行股票募集资金总额扣除发行费用后将依次用于通讯微电子器件（一期）项目和厦门光电产业化（二期）项目。通讯微电子器件（一期）项目总投资30亿元，其中固定资产投资24.3亿元，流动资金5.7亿元，其中使用募集资金投入不超过16亿元，全部用于本项目固定资产建设。该项目由厦门市三安集成电路有限公司实施，项目建成后将形成通讯用外延片36万片/年（以6英寸计算）、通讯用芯片36万片/年（以6英寸计算）的产能。为实现公司发展战略目标，做大做强做精主业，充分发挥公司产业协同效应，丰富公司产品类别，大力提升公司产品附加值，延伸公司产业链，年12月，公司决定在泉州南安投资亿元建设7个产业化项目，全部项目五年内实现投产，七年内全部项目实现达产，经营期限不少于25年。福建省泉州市人民政府和福建省南安市人民政府将给予一系列政策支持。该项目主要从事：高端氮化镓LED衬底、外延、芯片的研发与制造产业化项目；高端砷化镓LED外延、芯片的研发与制造产业化项目；大功率氮化镓激光器的研发与制造产业化项目；光通讯器件的研发与制造产业化项目；射频、滤波器的研发与制造产业化项目；功率型半导体（电力电子）的研发与制造产业化项目；特种衬底材料研发与制造、特种封装产品应用研发与制造产业化项目。

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化合物半导体性能卓越，高温高频大功率前景光明

2.1化合物半导体应用领域广泛，在新兴市场具有不可替代性

半导体材料的种类繁多，无论是单质或是化合物，还是无机物或有机物，都可以作为半导体材料。从化学式上来看，半导体材料可分为单质半导体及化合物半导体两大类，单质半导体包括硅（Si）、锗（Ge）等，化合物半导体包括砷化镓（GaAs）、氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）等。半导体在过去主要经历了三代变化，20世纪60年代以硅、锗为代表第一代半导体材料取代了笨重的电子管，带来了以集成电路为核心的微电子工业的发展和整个IT产业的飞跃。20世纪90年代以来，随着移动通信的飞速发展、以光纤通信为基础的信息高速公路和互联网的兴起，以砷化镓、磷化铟为代表的第二代半导体材料开始崭露头角。随着半导体器件应用领域的不断扩大，特别是特殊场合要求半导体能够在高温、强辐射、大功率等环境下性能依然保持稳定，以SiC及GaN为代表的宽禁带材料为第三代半导体材料


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